Caracteristica curent-tensiune a diodelor semiconductoare și a dependenței lor de temperatură

1. Scopul lucrării:

Studierea experimentală a caracteristicii curent-tensiune a diodelor semiconductoare şi a dependenţei lor de temperatură; determinarea parametrilor de bază ai diodei semiconductoare conform acestei caracteristici.

2. Parametrii şi metoda de determinare:

Cuplăm circuitul conform schemei de montaj. Macheta de laborator conţine două diode semiconductoare, una din Ge şi alta din Si. Ridicăm ramura directă, şi apoi cea indirectă a caracteristicii curent-tensiune pentru aceste diode la temperatura t = 200C C. Analog procedăm şi în cazul temperaturii t = 450C, însă pentru aceasta termostatul se cuplează la tensiunea U = 5,5 V şi se aşteaptă 15 min pînă a începe experienţa. Datele obţinute le introducem în tabele. Conform acestor rezultate trasăm caracteristicele curent-tensiune şi determinăm parametrii de bază ai diodelor, adică rezistenţele statică şi diferenţială.

3. Schema de montaj:

4. Caracteristicile aparatelor utilizate:

În această lucrare de laborator am utilizat următoarele aparate: sursele de curent de continuu Б5-48 şi Б5-44A, voltmetru universal Б7-26 şi multimetru DT-890B.

a) Sursa de curent continuu Б5-48 este destinată pentru alimentarea dispozitivelor radiotehnice cu tensiune sau curent continuu. Parametrii principali: tensiunea la ieşire

; intensitatea curentului .

b) Sursa de curent continuu Б5-44A este destinată pentru alimentarea dispozitivelor radiotehnice cu tesiune sau curent continuu. Parametrii principali: tensiunea la ieşire ; intensitatea curentului .

c) Voltmetrul universal Б7-26 este destinat pentru măsurarea tensiunii şi rezistenţei curentului continuu şi alternativ. Măsoară tensiunea curentului continuu , avînd diapazoanele cu limita de sus 0,1; 0,3; 1; 3; 10; 30; 100 şi 300 .