Etaje de amplificare pe baza tranzistorului KT-361

Mod Coala N document Semnat Data

A elaborat Litera Coala Coli

A verificat Bejan N. Tranzistorul KT361 Î 2 40

U.T.M. Facultatea de

Radioelectronică, gr.TLC-084

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT361Б.

Tranzistorul este un dispozitiv având o structură de tip p-n-p, la care regiunea din mijloc, adică baza trebuie să fie foarte subţire şi puţin dotată cu impurităţi. Se consideră a nota cu E-emitorul, cu B-baza şi C-colectorul.

Pentru faricarea tranzistorului KT361Б, care este de tip p-n-p, se foloseşte metoda planară. Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea că toate straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a plachetei, deaceea şi electrozii sunt plasaţi pe aceeaşi parte.

Masca în formă de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidării termice a suprafeţelor de siliciu, care posedă următoarele proprietăţi:

1. Masca de oxid este legată organic cu suprafaţa plachetei, având un contact trainic cu ea, ceea ce exclude pătrunderea difuzorului în locul dintre mască şi suprafaţă.

2. Grosimea măştii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru apărarea părţilor respective a plachetei împotriva atomilor ce difuzează.

3. Stratul d oxid în acelaşi timp cu funcţia de mascare îndeplineşte şi funcţia de apărare (înseamnă şi a p-n joncţiunii, care iese la suprafaţă) de la influienţa diferitor factori externi. În cazul, tehnologiilor de aliere şi mesa pentru asta este nevoie de a folosi metode speciale de protecţie.

Ciclul de fabricare planară a tranzistorului p-n-p este ilustrat în figura 1. Se ea o plachetă din Si tip-n, care în structura rezultantă joacă rolul de colector. Pe această plachetă peste prima mască de oxid se efectuiază difuzia acceptorului (de obicei bor) şi se primeşte stratul p al bazei. Apoi peste a doua mască se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. În sfârşit cu ajutorul celei de-a treia măşti de oxid se conectează contactele omice din aluminiu la toate cele trei straturi şi în continuar esunt lipite la aceste contacte sârmuliţe subţiri care joacă rolul de picioruşe ale tranzistorului.

În varianta considerată placheta este aleasă cu o rezistenţă destul de mare, pentru a asigura o tensiune de străpungerea a joncţiunii colectorului necesară.

SiO2

Figura 1. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip p-n-p.

a) placheta înaintea difuziei bazei.

b) placheta înaintea difuziei emitorului.

c) placheta înaintea alierii contactelor omice.

d) Structura rezultantă a tranzistorului de tip p-n-p.

2. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.

Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) şi poate fi conectat în circuit după unul din montajele fundamentale, prezentate în fig.1; montajele fundamentale sunt denumite şi conexiuni fundamentale.

Figura 4. Montajele sau conexiunile fundamentale pentru tranzistorul pnp.

aconexiunea emitor comun(EC); bconexiunea bază comun(BC); cconexiunea colector comun(CC).

În oricare dintre conexiunile fundamentale se disting două circuite: un circuit de intrare, în care se aplică semnalul pentru prelucrare şi un circuit de de ieşire, în care se obţine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din ambele circuite şi se ia ca electrod de referinţă; acest electrod (terminal) este denumit şi electrod comun. Luînd în consideraţie care dintre cele trei borne ale tranzistorului este considerată electrod comun se disting trei conexiuni fundamentale şi anume: conexiunea bază comună (BC); conexiunea emitor comun (EC); conexiunea colector comun (CC).Cele mai folosite sînt primele două caracteristici statice.