Extras din proiect
1. Sarcina lucrării: să se proiecteze şi să se calculeze parametrii unei diode semiconductoare.
2. Parametrii diodei proiectate (din îndrumar)
Vom proiecta dioda universala KД509A cu următorii parametri :
U inv max,V I dir max,mA Fmax, MHz Cd,nF Tmax,ºC
50 100 600 4 100
3. Datele măsurate (rezultatele măsurării )
Pentru polarizarea directa:
0,1 0,0009
0,2 0,0112
0,3 0,075
0,4 0,236
0,5 0,5
0,6 0,876
0,7 1,358
0,8 1,928
0,9 2,601
1 3,38
Pentru polarizarea inversa:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
1,54
1,49
1,45
1,42
1,4
1,38
1,36
1,34
1,32
1,3
1,18
0,37
0,32
0,29
0,27
0,25
0,24
0,22
0,21
0,2
0,19
0,13
0,421656
0,45043
0,475624
0,495933
0,510204
0,5251
0,540657
0,556917
0,573921
0,591716
0,718184
0,273803
0,302302
0,328017
0,349249
0,364431
0,380507
0,397542
0,41561
0,434789
0,455166
0,608631
0,37
0,64
0,87
1,08
1,25
1,44
1,54
1,68
1,8
1,9
2,6
4. Graficele dependeţelor de mai sus ( )
5.Calculul grafic a potenţialului
Din graficul caracteristicii V-A de mai sus extrapolând pana la intersecţia cu axa abscilselor obţinem grafic valoarea potenţialului de contact
6.Selectarea materialului
Din dependenţele măsurate , putem face concluzia că profilul joncţiunii este abrupt .
Materialul din care va fi construită dioda este Si, fiindca analizind valoarea temperaturii de lucru a diodei din formula , usor ne dam seama ca materialul ar trebui sa aiba Eg>1eV astfel de material este Si. Un alt argument in favoarea acestui material poate servi potentialul de contact , care ,astfel , astfel avem 2 motive pentru a alege materialul dat si anume Si. Un alt argument ar fi tehnologia de productie a Si este mult mai ieftina si mai avansata in comparatie cu alte materiale.
Preview document
Conținut arhivă zip
- Proiectarea unei Diode Semiconductoare.doc