Componente electronice

Diode redresoare

Domeniul de utilizare este redresarea curentului alternativ.

Producator : ON semiconductor

Tip : Axial Lead 5.20x2.70mm, 25.4x0.71mm Pkg

Denumire: Axial Lead Standard Recovery Rectifiers

Numar catalog: 1N4001- D

Caracteristica Simbol Max UM

Tensiunea instantanee directa

(IF = 1.0 Amp, TJ = 25°C) VF 1.1 V

Tensiunea directa

(IO = 1.0 Amp, TL = 75°C, 1 inch leads) VF(AV) 0.8 V

Curentul invers TJ = 25°C TAJ= 100°C IR

10

50 μA

Curentul invers mediu

(IO = 1.0 Amp, TL = 75°C, 1 inch leads) IR(AV) 30 μA

II. Diode rapide (Fast recovery)

Diodele rapide sunt proiectate pentru aplicatii speciale, cum ar fi : sursele de alimentare DC, invertoare, convertoare, sisteme de ultrasunete si diode FeeWheeling. O linie completa de diode rapide avand momentul de recuperare de 150ns si furnizare de inalta eficienta la frecvente de 250 kHz.

Producator : ON semiconductor

Tip: Axial Lead 5.20x2.70mm, 25.4x0.71mm Pkg, Lead len/dia

Denumire: Axial-Lead Fast Recovery Rectifier

Numar catalog: 1N493

Caracteristica Simbol Max UM

Tensiunea instantanee directa

(IF = 3.14 Amp, TJ = 150°C) VF 1.2 V

Tensiunea directa

(IF = 1.0 Amp, TA = 25°C) VF 1.2 V

Curentul invers TA = 25°C TA = 100°C IR

5

100 μA

III. Diode Schottky de putere

Se foloseste in aplicatiile cu consum mic de putere, protectie pentru polaritatea inversa, comutare rapida.

Producator : NXP

Tip : PMEG4005CT

Denumire : Schottky barrier rectifier

Numar catalog: TO-236AB

Caracteristica Simbol Max UM

Tensiunea indirecta VR 40 V

Tensiunea directa

(IF = 1.0 Amp, TA = 25°C) VF 47 V

Curentul direct

Tamb < 85°C

Tsp < 130°C IF(AV)

0.5

0.5 μA

IV. Tranzistoare bipolare de putere şi tensiune inaltă (inclusiv cele în conexiune Darlington)

Tranzistoarele bipolare de putere si tensiune inalta se folosesc ca dispozitive de iesire.

Producator : ON semiconductor

Tip: TO-204 (TO-3)

Denumire : High-Current Complementary Silicon Power Transistors

Numar de catalog: MJ11028