Extras din laborator
1. Scopul lucrarii : studierea experimentală a caracteristicilor curetnt-tensiune (V-A) ale diodelor semiconductoare si determinarea parametrilor de bază ai diodei semiconductoare conform acestei caracteristici.
2.Parametrii şi metoda de determinare:
Macheta de laborator conţine două tipuri de diode care sunt cuplate la circuit pe rind cu ajutorul tumblerului B1.
Timpul instalării regimului termic după alimentarea termostatului cu curent, este de 20 min. Ridicăm ramura directă a caracteristicii curent-tensiune pentru aceste diode semiconductoare la 3 valori ale temperaturii(200, 450, 650 C).
Ridicăm ramura inversă a caracteristicii curent-tensiune pentru aceleaşi diode.
Trasăm graficul C.C.T statice şi determinăm parametrii de bază ai diodelor semiconductoare studiate . Comparăm datele obţinute cu datele indrumarului pentru dispozitivele semiconductoare.
Vom calcula rezistenţa diferenţială la diferite temperaturi după formula:
Rd = │TºC= ; unde Rd- rezistenţa diferenţială(arată cum se schimbă CCT în funcţie de temperatură); ∆U- variaţia tensiunii; ∆I- variaţia curentului.
3.
4.Caracteristicile aparatelor utilizate:
- Voltmetru universal В7-26
Măsoară tensiunea curentului continuu:
30 mV - 300 V (0,3-1-3-10-30-100-300 V);
Eroarea relativeă:
±2,5% (in orice diapazon);
- Sursă de curent continuu Б5-48
Tensiunea la ieşire: 0,01-49,9 V
Intensitatea curentului : 0,01 – 1,9 A
- Sursă de curent continuu Б5-44 A
Tensiunea la ieşire: 0,01-29,9 V
Intensitatea curentului : 0 – 1 A
Preview document
Conținut arhivă zip
- Ridicarea Caracteristicilor si Determinarea Parametrilor Diodelor Semiconductoare.doc