Extras din laborator
1. Scopul lucrarii:
In lucrare sunt masurate caracteristicile statice ale unui TEC-J si este verificata concordanta cu relatiile analitice teoretice. Sunt masurati de asemenea parametrii modelului de semnal mic, joasa frecventa si verificata dependenta acestora fata de punctual static de functionare.
2. Consideratii teoretice:
Se considera tranzistorul TEC-J cu canal n, cu structura simplificata:
Unde D - dreană, S - sursă, G - grilă sau poartă.
Tensiunea de prag (VT) este paramentrul TEC ce marcheaza limita intre blocare si conductie:
In conductie: VT < VGS ≤ 0.
TEC-J poate functiona in curent continuu:
a) in regiunea activa (cvasiliniara):
b) in regiunea de saturatie(in aproximatie):
Unde IDSS reprezintă valoarea maximă a curentului, pentru VGS nul.
Modelul dinamic pentru TEC-J:
Comportarea TEC-J in regim dinamic de semnal mic si joasa frecventa se poate descrie cu ajutorul modelului urmator:
Unde:
- conductanta de transfer;
gd=rd-1=λ ID - conductanta canalului;
λ – parametru static al tranzistorului TEC-J
Daca se analizeaza structura reala a unui TEC-J se remarca prezenta intre extremitatile canalului propriu-zis si contactele metalice S si D, a unor portiuni de siliciu n a caror rezistenta trebuie luata in considerate in construirea unui model dinamic. Pentru simplificare se ignora efectul acestora.
3. Masuratori si calcule:
Se ridica caracteristicile current-tensiune pentru VDS>0, prin fixarea succesiva a tensiunilor VGS si VDS la valorile indicate in tabelul urmator:
Preview document
Conținut arhivă zip
- Tranzistorul cu Efect de Camp cu Poarta Jonctiune.doc