Tranzistor bipolar bază comună

Scopul lucrării: Studierea metodelor de ridicare a caracteristicilor de intrare şi ieşire ale tranzistorului bipolar conectat după schema bază comună.

Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de tensiune curent continuu, rezistoare, tranzistor bipolar.

Mersul lucrării:

Lansăm programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experienţa 1. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amper de intrare.

Construim circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.

Tastăm pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistenţa scade, tastele <shift>-<R> rezistenţa se măreşte) tensiunea de intrare (Ueb) de la 0 până la 0,9 V, ridicăm caracteristica de intrare a tranzistorului Ie=f(Ueb) la tensiunea colectorului (Ucb) 0; 5; 10 V (Ucb=0 în cazul când comutatorul este deconectat). Datele experimentale le introducem în tabelul 1.1

Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcţia CVA de intrare.

Tensiunea de intrare Ueb , V Ucb = 0 V Ucb = 5 V Ucb = 10 V

Ie , mA Ie , mA Ie , mA

0 0 0 0

0,1 0 0 0

0,2 0 0 0

0,3 0.000001 0.000002 0.000003

0,4 0.00002 0.000104 0.000106

0,5 0.001 0.005621 0.006177

0,6 0.03964 0.2031 0.2332

0,7 1.18 5 6.768

0,8 16.23 77.27 77.79

0,9 49.66 243 247

Experienţa 2. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amper de ieşire.

Construim circuitul de mai jos:

Figura 2. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.

Tastăm pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând tensiunea (Ucb) de la 0 până la 10V, ridicăm ramura directă a caracteristicii de ieşire a tranzistorului Ic=f(Ucb) pentru curentul emitorului (Ie) 10, 20 şi 30 mА. Datele experimentale le introducem în tabelul 1.2

Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcţia CVA de ieşire.

Tensiunea de intrare Ucb , V Ie = 10 mA Ie = 20 mA Ie = 30 mA

Ic , mA Ic , mA Ic , mA

0 9.829 19.87 30.02

1 9.834 19.88 30.03

2 9.839 19.88 30.04

3 9.844 19.89 30.04

4 9.849 19.89 30.05

5 9.854 19.9 30.05

6 9.859 19.9 30.06

7 9.864 19.91 30.06

8 9.869 19.91 30.07

9 9.874 19.92 30.07

10 9.879 19.92 30.08

După datele obţinute în rezultatul măsurărilor trasăm caracteristicile de intrare şi ieşire.

Experienţa 3. Determinăm următorii parametri:

Rezistenţa de intrare a tranzistorului

Rint=∆Ueb/∆Ie;

Rezistenţa de ieşire a tranzistorului

Ries=∆Ucb/∆Ic;

Coeficientul de amplificare al tranzistorului

α=∆Ic/∆Ie

Concluzie:

În această lucrare de laborator,am studiat metodele de ridicare şi ieşire ale tranzistorului bipolar conectat după schema baza comună.

În cadrul acestei conectări,curentul de intrare este ,adică curentul emitorului ,

iar curentul de ieşire este ,adică curentul colectorului

În experienţa I,am măsurat datele experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amperice de intrare.Am construit circuitul conexiunea baza comună a tranzistorului bipolar şi schimbînd cu rezistorul variabil tensiunea de intrare am ridicat caracteristica de intrare a tranzistorului la tensiunea colectorului Am obţinut datele experimentale,pe care le-am indicat în tabel.

În a doua experienţă,am măsurat datele experimentale pentru construcţia CVA de ieşire.Am schimbat tensiunea în circuit,astfel ridicînd ramura directă a caracteristicii de ieşire a tranzistorului pentru curentul emitorului Am introdus datele în tabel.