Extras din laborator
Efectul Hall este unul dintre efectele importante în determinarea parametrilor ce caracterizeza electric materialele semiconductoare.
1. Scopul lucrarii
- Determinarea concentratiei purtatorilor de sarcina ( n sau p) într-o proba din semiconductori extrinseci**;
- Determinarea mobilitatii Hall a purtatorilor de sarcina în semiconductorul respectiv.
2. Teoria lucrarii
Efectul Hall este un efect galvanomagnetic** observat pentru prima data de E. H. Hall în 1880. Acest efect consta în aparitia unui camp electric transversal (denumit câmp electric Hall EH ) si a unei diferente de potential intr-un metal sau semiconductor parcurse de un curent electric, atunci cand ele sunt introduse intr-un camp magnetic, perpendicular pe directia curentului.
Sa consideram cazul unei proba semiconductoare paralelipipedice de dimensiuni a,b, c (fig.1). Câmpul electric Hall apare atunci când proba semiconductoare este plasata întrun câmp de inductie magnetica B si într-un câmp electric exterior de intensitate E ¥ B .
Vectorii E , B , si EH formeaza un triedru drept (fig. 1), adica
E = E(E,0,0); B = B(0, B,0); EH = EH (0,0, EH ) (1)
Sub actiunea câmpului electric extern E = E(E,0,0) prin proba semiconductoare trece un curent electric de intensitate I. Prin aplicarea pe proba respectiva a câmpului magnetic de inductie B = B(0, B,0) între fetele laterale ale probei, pe directie normala pe E si B (fig. 1), apare o diferenta de potential
UH = VA VB (2)
numita tensiune Hall.
Tensiunea Hall este determinata de devierea purtatorilor de sarcina electrica ce formeaza curentul prin proba, sub actiunea fortei Lorenz:
FL = e(v × B) (3)
unde v este viteza medie de miscare prin proba a purtatorilor de sarcina electrica (sau viteza de drift) sub actiunea câmpului E, iar e este sarcina electrica elementara.
Preview document
Conținut arhivă zip
- Studiul Efectului Hall in Semiconductori.pdf