Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode

Referat
8/10 (1 vot)
Domeniu: Electronică
Conține 1 fișier: doc
Pagini : 16 în total
Cuvinte : 1202
Mărime: 225.83KB (arhivat)
Publicat de: Amalia Chivu
Puncte necesare: 5
Profesor îndrumător / Prezentat Profesorului: Sisianu Teodor
Universitatea Tehnica A Moldovei Catedra Microelectronica şi Dispozitive cu Semiconductoare

Extras din referat

1. Sarcina lucrării: proiectarea si calculul dispozitivului electronic cu o jonctiune (dioda).

2. Parametrii diodei proiectate (datele de catalog).

Vom proiecta dioda stabilizatoare Д814Д (producator Rusia) cu următorii parametri:

Tipul

diodei Caracteristicile de limită

a parametrilor la T=25oC Caracteristicile parametrilor la

- Ust.nom-tensiunea nominala de stabilizare;

- I st.nom-curentul nominal de stabilizare;

- Pmax - puterea maximala disipata;

- Ust. –tensiunea de stabilizare;

- rst. – rezistenta diferentiala a stabilitronului;

- ast. – coefecientul de temperatura de stabilizare a stabilitronului;

- Ist. –curentul de stabilizare;

- Tmax – temperatura maxima admisibila;

3.Datele măsurate, rezultatele măsurărilor:

La polarizarea directă:

La polarizarea inversă:

4. Calcularea grafică a potenţialului :

Din graficul am extrapolat pănă la intersecţia cu axa absciselor şi am obţinut din grafic valoarea potenţialului de contact

5. Selectarea materialului:

Din dependenţele măsurate , am concluzionat că profilul joncţiunii este abrupt. Materialul din care vom confecţiona dioda este Si, care este unul dintre cele mai ieftine şi uşor de găsit materiale semiconductoare.

Vom lua structura:

6. Calculul concentraţiilor ( ):

Pentru joncţiune cu profil abrupt avem că:

Mai putem scoate că:

Vom alegem , atunci avem:

Pentru joncţiunea abruptă avem profilul prezentat in anexa. La obţinerea joncţiunii, vom dopa materialul de bază ― n-Si cu Bor (impurităţi acceptore) obţinînd structura p+-n.

Executăm difuzia Borului în Siliciu la temperatura de 1200oC.

Coeficientul de difuzie a Borului în Siliciu la temperatura de 1200oC este D(1200 oC)=3*10-12 cm2/s.

Solubilitatea impurităţii în aceste condiţii este

N0(1200 oC)=3*1020 cm-3.

Vom determina dependenţa NA=NA(x,t). Facem difuzia dintr-o sursa limitata:

7. Determinăm lăţimea joncţiunii :

8. Determinăm distribuţia potenţialului şi a cîmpului electric în joncţiune, determinăm sarcina de volum:

Calculăm după formulă, potenţialul de contact

Calculam dependenţa

Preview document

Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 1
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 2
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 3
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 4
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 5
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 6
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 7
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 8
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 9
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 10
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 11
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 12
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 13
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 14
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 15
Modelarea, Calcularea și Proiectarea unei Diode - Pagina 16

Conținut arhivă zip

  • Modelarea, Calcularea si Proiectarea unei Diode.doc

Te-ar putea interesa și

Redresor în Punte cu Filtru Capacitiv

Clasificarea Redresoarelor: - dupa tipul tensiunii alternative (numarul de faze): -- redresoare monofazate (- singura faza si un nul); --...

Stabilizator de tensiune

1. Descrierea functionarii proiectului In aceasta configuratie este prezent un tranzistor bipolar in serie cu sarcina, asa cum rezulta din schema...

Stabilizatoare

Pentru alimentarea aparaturii electronice sunt necesare surse de energie de curent continuu. Cu exceptia surselor chimice (baterii), celelalte se...

Proiectarea asistată de calculator a dispozitivelor pasive de microunde și radiofrecvență

Capitolul 1. Clasificarea surselor de perturbaţii 1.1 Introducere Sursele de interferenţe electromagnetice pot fi de origine naturală (atmosferă,...

Proiectarea unei Diode Semiconductoare

1. Sarcina lucrării: să se proiecteze şi să se calculeze parametrii unei diode semiconductoare. 2. Parametrii diodei proiectate (din îndrumar)...

Ai nevoie de altceva?