Proiect CEF

proiecteze elementele circuitului) astfel încât să se obţină:

1) amplificare în tensiune Au=30

2) bandă de frecvenţă fj=20Hz; fs=10 MHz

3) rezistenţă de intrare Rin=100kΩ

4) amplitudinea maximă a semnalului în sarcină:

VsM=5V, IsM=10mA

5) domeniu de variaţie pentru temperatura de

functionare: ΔT=±400 faţă de temperatura

mediului ambiant.

6) se va urmări utilizarea tranzistoarelor cu

performanţe cât mai slabe si a rezistoarelor cu

toleranţe cât mai mari în scopul creşterii eficienţei

economice a circuitului.

Soluţie: Stabilim întâi configuraţia completă a circuitului, cu care vom încerca

satisfacerea cerinţelor temei. În cazul în care circuitul propus nu va satisface cerinşele

temei îl vom completa sau chiar schimba.

Din considerente de polarizare, fără a

realiza cuplare prin condensatoare între

etaje (cu scopul creşterii eficienţei

economice) încercăm cu circuitul desenat

în figura 2.

Stabilim apoi tipul tranzistoarelor cu care

vom lucra. Vom urmări în acest scop

determinarea unor valori extreme (desigur

aproximative, orientative, pentru început)

pentru parametrii:

a) putere disipată; b) bandă de frecvenţă; c) tensiune maximă admisă UCEO; d) curent

maxim de colector, pentru tranzistoarele din circuit. Determinarea acestor valori se va

face orientativ, asceasta constituind chiar şi în cazul în care se cunosc valorile

paramatrilor o problemă destul de dificilă.

a) Deoarece VsM=5V şi IsM = 10mA ® R = = 500W

sM

sM

s I

V şi că puterea în sarcină

Ps I sM VsM 25mW

2

= 1 × × = .

Deoarece etajul funcţionează în clasa A estimăm că puterea disipată pe

tranzistorul final (cel mai solicitat în putere deoarece lucrează cu nivelele cele mai mari

de tensiune şi curent) este mai mare sau egală cu puterea din sarcină. Puterea pe

tranzistorul final este mai mare de câteva ori faţă de puterea din sarcină şi aceasta

depinde în principal de calitatea “proiectantului”. În cazul proiectării etajelor care

lucrează cu nivele mici de semnal puterea puterii disipate nu este restrictivă. Să stabilim o

legătură între puterea medie disipată pe tranzistor şi valorile maxime IsM, UsM.

fig.1

fig.2

[ 2 ]

Deoarece semnalul este armonic (sinusoidal nedistorsionat) puterea medie pe

tranzistor va fi dată de valorile din curent continuu (c.c.) ale tensiunii si curentului. Deci:

Pd =UCE × IC = (E - Rcc × IC )IC = E × IC - Rcc IC2