Simularea Structurilor Rezistive

Scopul lucrării: Evidentierea prin metode matematice (simulare) a comportării reale a rezistoarelor si condensatoarelor.

I. SOLICITAREA ELECTRICĂ A REZISTOARELOR

Se studiază diagrama de disipatie a puterii în functie de temperatura ambiantă, pentru un rezistor cu peliculă de carbon de tipul celor studiate la lucrarea “Rezistoare liniare fixe”.

1. Analiza solicitarii unui rezistor pentru diverse valori ale rezistentei.

Programul analizeaza solicitarea in putere a unui rezistor. Vom alege pentru

inceput un rezistor cu pelicula de carbon cu urmatorii parametri:

ohmi

rezistenta nominala

puterea nominala

tensiunea maxima

temperatura nominala

temperatura maxima

W

V

grade C

grade C

Temperatura mediului variaza intre

grade C

Temperatura ambianta maxima la care rezistorul poate fi utilizat la puterea nominala Pn este temperatura nominala θn. Pentru temperaturi mai mari decit θn, pentru a nu distruge rezistorul,este necesara micsorarea puterii sale disipate Pd(θ).

Reprezentarea grafica a puterii disipate in functie de temperatura ambianta (θ) este:

Zona hasurata marcheaza domeniul puterii disipate pentru rezistorul analizat astfel incat acesta sa nu se degradeze. De remarcat este faptul ca aceste limite nu depind de rezistenta nominala Rn ci de θn, θmax si de Pn, deci de tipul rezistorului (constructia sa).

Zona hasurata marcheaza domeniul puterii disipate pentru rezistorul analizat astfel incat acesta sa nu se degradeze. De remarcat este faptul ca aceste limite nu depind de rezistenta nominala Rn ci de θn, θmax si de Pn, deci de tipul rezistorului (constructia sa).

Ne propunem sa determinam si domeniul de definitie al tensiunii aplicate la bornele rezistorului .

Tensiunea aplicabila Ua(θ) este deci cel mult: min ( Umax,U1(θ) )

Volti